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欧博官网手机版:全球晶携交大 卡位SiC、GaN市场

admin 社会 2020-07-26 47 1 admin社会
示意图。(图片泉源/达志影像shutterstock提供)

看好第三代半导体质料碳化矽和氮化镓的未来远景,矽晶圆大厂全球晶22日与交通大学签署备忘录,将配合互助确立化合物半导体研究中心。透过产学互助,携手研发第三代半导体质料,包罗但不限于6吋至8吋SiC 和GaN之技术开发,用以支持晶体生长、提供高性能元件应用所需,以利快速建构台湾化合物半导体产业链。

交通大学署理校长陈信宏示意,交大连系校友气力,每年募款1亿元,协助交大推动尖端研究,期望5~10年能有3~5个领域到达世界第一目的,进而成就「伟大大学」之愿景,并规画以半导体、人工智慧、生医为三大重点领域。

其中,半导体晶圆生长小组稀奇与台湾第一大、全球第三大的矽晶圆大厂全球晶互助。由于SiC和 GaN是异常具有生长远景的半导体质料,在5G、电动车、太阳能发电、功率发电的应用上,是最主要的乐成要害。

交通大学连系多所学校相关研究的教授群,以化合物半导体质料研究和人才培育计画为主轴,与全球晶通力互助加速开发SiC和GaN,确立产学互馈循环机制并培育国际级研发团队,以利提升台湾半导体产业于全球的竞争实力。

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  • 2020-07-26 00:00:23

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